度亘核芯新一代高功率单管激光芯片发布，攻克高功率与低电压不可兼得难题

915nm与975nm半导体激光芯片是高功率光纤激光器的理想泵源，其输出功率与电光转换效率直接决定了光纤激光系统的整机功率、能耗水平与运行成本。随着工业加工、精密制造和科学研究等应用对激光功率与系统稳定性要求的不断提升，传统芯片在高功率工况下普遍面临效率下降明显、热管理困难、可靠性下降等问题。因此，在更高功率下维持高效率、低热耗与长寿命，成为激光芯片技术攻关的关键方向。

度亘核芯针对915nm/975nm高功率单管激光芯片在高功率下的效率衰减与可靠性挑战，开展了系统性技术攻关。通过创新量子阱能带结构与应变调控设计，优化外延层界面质量与载流子限制能力，结合低损伤晶圆工艺与先进腔面钝化技术，成功实现了功率与效率的协同提升：

与此同时，器件在高功率工况下的热阻显著降低，腔面抗损伤能力增强，长期可靠性得到充分保障。形成了915/975nm 42W、45W、55W、66W系列单管产品，可灵活适配高功率光纤激光泵浦、半导体激光系统、科研激光等多元应用场景，为高功率、高效率、高可靠性的高端激光应用提供核心支撑。

图 1 915nm 55 W芯片典型L-I-V-E曲线

图 2 975nm 55W芯片典型L-I-V-E曲线

形成915/975nm 42/45/55/66W系列单管产品。