长光华芯科创板IPO注册获批，激光芯片项目获江苏省科学技术奖一等奖

获得本次江苏省科学技术奖一等奖的是由长光华芯独立申报的“高亮度长寿命高功率半导体激光芯片关键技术及产业化”项目。

高能激光是我国重点战略发展领域，而高功率半导体激光芯片是当代高能激光器中最核心的母光源，是高能激光系统中的“心脏”，在激光先进制造和国家战略高技术（激光）领域起到不可替代的作用。

我国多年来在腔面处理等关键技术方面一直无法突破，长期处于“有器无芯”的局面，严重制约了我国高能激光领域的发展，是典型的“卡脖子”问题。

长光华芯在国家重点研发计划、省成果转化等项目的支持下，围绕高功率半导体激光芯片的最核心指标，功率、亮度、寿命及效率，在最关键的三大技术领域（腔面解理及钝化处理、芯片结构设计及制备工艺、外延结构设计及材料生长）进行了10年的技术攻关和创新，取得了重大突破。核心指标经第三方权威机构检测，全面达到甚至部分超出国外先进水平。

长光华芯自成立以来一直坚持自主研发和生产高功率半导体激光芯片，主要致力于高功率半导体激光器芯片、高效率半导体VCSEL芯片、高速光通信芯片及其器件和系统的研发、生产及销售。建成了全球唯二、国内唯一的6吋高功率半导体激光芯片晶圆垂直整合生产线，并在芯片设计、关键设备、工艺技术和原材料方面实现了自主可控。