长光华芯半导体激光创新研究院即将全线投入使用
5月15日,苏州长光华芯半导体激光创新研究院1#研发楼装修项目开工仪式在项目现场顺利举办。
苏州半导体激光创新研究院由苏州高新区和长光华芯共建,项目总投资5亿元,占地面积近2.3万平方米,建筑面积5万平方米,包含研发大楼、综合楼、生产工艺大楼等。目前,2#生产工艺大楼和3#综合楼已全线投入使用。
长光华芯是全球少数几家研发和量产高功率半导体激光芯片的公司,建成了完全自主可控的从芯片设计、MOCVD(外延)、光刻、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合、直接半导体激光器等完整的工艺平台和量产线,拥有边发射激光芯片(EEL)和面发射激光芯片(VCSEL)两大产品结构,GaAs(砷化镓)和InP(磷化铟)两大材料体系,3吋、6吋两大量产线。
近日,江苏省省委副书记、省长许昆林一行在苏州调研疫情防控和经济社会发展情况,期间,到访苏州长光华芯半导体激光创新研究院进行调研视察。对长光华芯坚持自主创新,十年如一日,打破国外垄断,实现自主可控的坚持表示认可。
许昆林表示抓创新就是抓发展,谋创新就是谋未来,希望长光华芯发挥行业龙头作用,带领半导体激光产业繁荣发展。
今年4月1日,长光华芯于上海证券交易所科创板上市,成为A股第一家半导体激光芯片上市公司。股票代码:688048。
长光华芯此次IPO募集资金将重点投向“高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目”、“垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)及光通讯激光芯片产业化项目”及“研发中心建设项目”。
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