效率损耗双领跑！大族半导体SiC晶锭激光剥片技术单片15min单耗470μm！

碳化硅（SiC）芯片目前已在新能源汽车、雷达基站、5G通讯、智能电网等众多前沿领域展现出极为广阔的应用前景，成为推动这些行业迈向更高层次、实现转型升级的核心驱动力。然而，SiC材料高硬度特性给传统多线切割的衬底加工方式带来了前所未有的巨大挑战，材料耗损严重、加工效率低下、加工成本高昂等痛点成为制约行业发展的关键瓶颈。随着晶圆尺寸从6inch逐步向12inch拓展，传统线切割应对更大尺寸晶圆时，所面临的困境愈发严峻。在此行业背景下，SiC晶锭激光剥片技术应运而生，凭借其材料耗损小、出片率高、效率高等巨大优势，逐渐成为大尺寸SiC晶锭切割领域的主流技术。

然而，激光剥片技术要在工艺品质上达到卓越水准的同时，还要实现生产效率的高效运行，绝非易事。在2025年5月15日举办的行家说（第5届）车规级8英寸SiC量产技术及汽车&数字能源应用大会上，大族半导体产品线总经理巫礼杰先生特别指出，该技术的核心目标是为客户大幅降低制造成本，而要达成这一目标，需重点把控以下几个核心要点：出片率（高），加工效率（高），自动化水平（高），加工良率（高），生产耗材（低）。大族半导体凭借强大的研发实力与创新精神，在激光剥片QCB（Qian Ceng Bing）技术基础上，取得了技术成果的进一步突破：在切割损耗方面，实现8inch 350μm导电型衬底片切割，单片总损耗<70-80μm，单耗<450-470μm(单耗=上次晶锭厚度-剥离1片晶圆后晶锭厚度)，即20mm晶棒，出片数量提升到42-44 pcs；在加工效率方面，实现8inch 350μm导电型衬底片切割，单片作业时间缩短到15min/pcs以内；在加工耗材方面，剥离面平整，粗糙度好，TTV小，对磨轮损伤降低，同等条件下，磨耗比行业平均水平降低40%，降低砂轮耗损；以上技术突破为实现更低损耗、高效率、智能化、自动化晶锭剥片提供保障，进一步全方位降低SiC晶锭切割制造成本。